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CY15V108QN-20LPXCT

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CY15V108QN-20LPXCT
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商品详情

  • 密度
    8192 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    0 °C 至 70 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    1.71 V 至 1.89 V
  • 工作电压 范围
    1.71 V 至 1.89 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    SPI
  • 系列
    Excelon™
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 8
  • 认证标准
    Commercial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    20 MHz
OPN
CY15V108QN-20LPXCT
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-VQFN-8
封装名 GQFN-8 (002-18131)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-VQFN-8
封装名 GQFN-8 (002-18131)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15V108QN-20LPXCT是一款8Mb EXCELON™ LP铁电RAM（F-RAM），采用1024K × 8串行存储阵列，具备1015次读写耐久性和151年数据保持。工作电压1.71 V至1.89 V，支持最高40 MHz的SPI接口（模式0和3）。器件实现总线速率下的瞬时非易失性写入，具备高级写保护和超低功耗，适用于工业控制和频繁数据记录。

特性

  • 8Mb铁电RAM，1024K × 8结构
  • 10^15次读写循环，几乎无限
  • 70°C下数据保留151年
  • SPI接口最高40 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 即时非易失性写入，无延迟
  • 40 MHz下有源电流2.6 mA
  • 深度掉电与休眠模式
  • 硬件/软件写保护
  • 唯一设备和序列号ID
  • 256字节特殊扇区安全存储
  • 工业温度范围–40°C至+85°C

产品优势

  • 151年后数据依然可靠
  • 无写入延迟，数据即时更新
  • 适合频繁快速数据记录
  • 40 MHz SPI实现系统高速访问
  • 低功耗延长电池寿命
  • 多种省电模式节能
  • 敏感数据安全存储
  • 写保护防止数据损坏
  • 唯一ID便于追溯管理
  • 可替换串行EEPROM/闪存
  • 可在恶劣工业环境下工作
  • 高耐久性降低维护需求

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }