CY62136FV30LL-45ZSXIT

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封装

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商品详情

密度

2 MBit
峰值回流温度

260 °C
工作温度范围

-40 °C 至 85 °C
最高工作电压 (VCCQ)

3.6 V
工作电压范围

2.2 V 至 3.6 V
引线球表面

Ni/Pd/Au
接口

Parallel
系列

MoBL™ SRAM
组织(X x Y)

128K x 16
认证标准

Industrial
速度

45 ns

	推荐的
OPN	CY62136FV30LL-45ZSXIT
产品状态	active and preferred
英飞凌封装名称	PG-TSOP-44
封装名	TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸	1000
封装类型	TAPE & REEL
湿度	3
防潮封装	DRY
无铅	Yes
无卤素	Yes
符合RoHS标准	Yes

产品状态	Active
英飞凌封装名称	PG-TSOP-44
封装名	TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸	1000
封装类型	TAPE & REEL
湿度	3
防潮封装	DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

CY62136FV30LL-45ZSXIT是一款2 Mbit（128K×16）CMOS静态RAM，45 ns速度等级，并具备自动掉电功能，在CE取消选通时降低待机电流。工作电压2.2 V至3.6 V，支持工业级/汽车A级温度范围–40°C至+85°C。提供无铅44引脚TSOP II（ZS）封装，用于低功耗便携式与嵌入式存储扩展。

特性

2 Mbit SRAM，128K×16
45 ns读写周期时间
OE访问时间低至22 ns
电源电压2.2 V到3.6 V
ICC典型1.6 mA@1 MHz
ICC最大18 mA@fmax
待机电流典型1 µA
CE为高时自动掉电
字节写使能BLE/BHE
禁用时输出为高阻
输入/输出漏电±1 µA
CIN/COUT最大10 pF

产品优势

满足16位数据SRAM需求
快速读写降低系统延迟
更快OE加速异步读取
适配2.2–3.6 V电源轨
低工作电流节省能耗
支持高频访问需求
待机省电延长电池续航
空闲自动降功耗
支持8位字节更新减少传输
简化多器件总线共享
低漏电提升数据保持
低引脚电容易满足时序

应用

设计资源

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CY62136FV30LL-45ZSXIT

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