CY62136FV30LL-45ZSXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62136FV30LL-45ZSXIT

数据手册
封装

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CY62136FV30LL-45ZSXIT
CY62136FV30LL-45ZSXIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    128K x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY62136FV30LL-45ZSXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
PH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
PH
晶圆产地
US
CY62136FV30LL-45ZSXIT is a 2-Mbit (128K × 16) CMOS static RAM with a 45 ns speed grade and automatic power-down to cut standby current when CE is deselected. It operates from 2.2 V to 3.6 V and supports Industrial/Automotive-A temperature range of –40°C to +85°C. The device is available in a Pb-free 44-pin TSOP II (ZS) package for low-power portable and embedded memory expansion.

特性

  • 2-Mbit SRAM, 128K × 16
  • 45 ns read/write cycle time
  • OE access time down to 22 ns
  • Supply voltage 2.2 V to 3.6 V
  • ICC typ 1.6 mA at 1 MHz
  • ICC max 18 mA at fmax
  • Standby current typ 1 µA
  • Auto power-down with CE HIGH
  • Byte write enables BLE/BHE
  • Outputs go high-Z when disabled
  • Input/output leakage ±1 µA
  • CIN/COUT max 10 pF

产品优势

  • Fits 16-bit data SRAM needs
  • Fast reads/writes reduce latency
  • Faster OE speeds async reads
  • Runs from 2.2–3.6 V rails
  • Low active current saves energy
  • Handles high-frequency accesses
  • Extends battery life in standby
  • Cuts idle power when inactive
  • Updates 8-bit bytes, less traffic
  • Simplifies bus sharing
  • Low leakage improves data hold
  • Low pin capacitance eases timing

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区