CY62138FLL-45SXIT
现货，推荐
符合RoHS标准

CY62138FLL-45SXIT

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62138FLL-45SXIT
CY62138FLL-45SXIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY62138FLL-45SXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-32
封装名 SOIC-32 (51-85081)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-32
封装名 SOIC-32 (51-85081)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62138FLL-45SXIT是一款2 Mbit（256K×8）CMOS静态RAM，面向5 V系统，访问时间45 ns。工作电压4.5 V至5.5 V，温度范围-40°C至+85°C，支持片选自动掉电（ISB2最大5 µA）。在1 MHz下ICC最大2.5 mA（fmax时最大18 mA）。支持TTL电平输入（VIH最小2.2 V）便于处理器直连，提供无铅32引脚SOIC封装。

特性

  • 2 Mbit SRAM，256K×8
  • 45 ns读/写周期
  • VCC 4.5 V至5.5 V
  • 1 MHz时典型1.6 mA
  • 待机典型1 µA，最大5
  • CE自动掉电
  • 数据保持电压VDR=2.0 V
  • ICCDR典型1 µA，最大5
  • TTL兼容输入电平
  • OE/CE/WE三态输出
  • I/O漏电±1 µA
  • ESD>2001 V(MIL-STD)

产品优势

  • 45 ns速度减少等待周期
  • 适配5 V电源与旧系统
  • 低工作电流降低功耗
  • µA级待机延长电池续航
  • 自动掉电节省空闲能耗
  • 2.0 V保持避免数据丢失
  • 低ICCDR减小备份电源
  • TTL输入简化MCU接口
  • 三态输出便于共享总线
  • 低漏电减少待机损耗
  • 高ESD提升可靠性
  • CE/OE便于存储扩展

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区