CY62138FV30LL-45BVXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62138FV30LL-45BVXIT

数据手册
封装

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CY62138FV30LL-45BVXIT
CY62138FV30LL-45BVXIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 8
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
CY62138FV30LL-45BVXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-36
封装名 VFBGA-36 (51-85149)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-36
封装名 VFBGA-36 (51-85149)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62138FV30LL-45BVXIT是一款2-Mbit（256 K × 8）CMOS静态RAM，45 ns访问时间，支持高速随机读写存储。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围–40°C至85°C，采用CE1/CE2及OE/WE控制，未选中时自动掉电。1 MHz时电流典型1.6 mA（最大2.5 mA），待机典型1 µA（最大5 µA）。提供无铅36球VFBGA封装。

特性

  • 2 Mbit SRAM，256K×8
  • 45 ns读写周期时间
  • VCC范围2.2 V到3.6 V
  • ICC典型1.6 mA@1 MHz
  • 待机1 µA典型/5 µA最大
  • 未选通自动掉电
  • VCC=1.5 V支持数据保持
  • VCC=1.5 V保持电流≤4 µA
  • 18位地址总线A0到A17
  • 8位双向I/O0到I/O7
  • 双片选CE1与CE2
  • 未选通输出为高阻态

产品优势

  • 直接匹配8位MCU数据总线
  • 45 ns满足高速CPU访问
  • 2.2–3.6 V适配3 V电源轨
  • 低ICC降低运行能耗
  • µA级待机延长电池续航
  • 自动掉电减少空闲功耗
  • 1.5 V保持让休眠数据不丢
  • 低ICCDR降低保持耗电
  • 18位寻址便于地址映射
  • 高阻输出避免总线冲突
  • 双片选+OE便于扩展
  • 异步SRAM接口加快设计

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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