CY62146G30-45BVXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62146G30-45BVXI

数据手册
封装

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CY62146G30-45BVXI
CY62146G30-45BVXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
CY62146G30-45BVXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 4800
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 4800
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
TW
CY62146G30-45BVXI是一款4 Mbit（256K×16）CMOS SRAM，内置ECC用于单比特纠错。该器件为45 ns、2.2 V–3.6 V工业级版本，采用48球VFBGA（6×8×1 mm），单片选使能。支持BHE/BLE字节写控制、三态I/O，待机电流低至3.5 µA典型值（8.7 µA最大值）。在22.22 MHz、IOUT=0 mA时，VCC工作电流最大20 mA。

特性

  • 4 Mbit SRAM(256K×16)
  • 内置ECC单比特纠错
  • 45 ns或55 ns读周期
  • OE访问22 ns(45 ns)
  • 16位I/O带字节使能
  • 地址总线A0-A17(18位)
  • 单或双片选使能输入
  • 自动掉电待机3.5 µA典型
  • 待机电流最大8.7 µA
  • 1.0 V数据保持模式
  • TTL兼容I/O电平
  • 未选通输出为高阻

产品优势

  • 轻松匹配16位存储映射
  • 读出时自动纠正比特错误
  • 45 ns支持更快CPU访问
  • 22 ns OE降低读延迟
  • 字节写减少总线带宽占用
  • 18位地址简化译码
  • 片选方式灵活易导入设计
  • 微安待机延长电池寿命
  • 低待机上限便于功耗预算
  • 深度休眠仍可保持数据
  • TTL I/O便于逻辑接口
  • 高阻输出便于共享总线
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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