CY62146G30-45ZSXA
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62146G30-45ZSXA

封装

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CY62146G30-45ZSXA
CY62146G30-45ZSXA

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 16
  • 认证标准
    Automotive(A)
  • 速度
    45 ns
推荐的
OPN
CY62146G30-45ZSXA
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 270
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 270
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62146G30-45ZSXA是一款4-Mbit（256K×16）异步SRAM，内置ECC支持单比特纠错，符合AEC-Q100 Automotive-A（-40°C至+85°C）。支持45 ns访问时间，工作电压2.2 V至3.6 V。CE/OE/WE控制配合BLE/BHE实现上下字节写入，未选通时I/O为高阻态，并支持1.0 V数据保持与典型3.5 µA待机电流。

特性

  • 4 Mb SRAM，256K×16
  • 内置ECC纠正1位错误
  • 读周期时间45 ns(tRC)
  • 地址到数据有效45 ns
  • OE到数据有效22 ns
  • 写周期时间45 ns(tWC)
  • WE脉宽35 ns(tPWE)
  • 待机电流典型3.5 µA
  • fMAX时ICC典型15 mA
  • 1.0 V数据保持(VDR)
  • 保持电流最大13 µA
  • I/O漏电流最大±1 µA

产品优势

  • ECC提升数据完整性
  • 16位总线提升吞吐量
  • 45 ns周期实现快速读取
  • 22 ns OE降低读延迟
  • 45 ns写周期实现快速写入
  • 3.5 µA待机降低功耗
  • 1.0 V掉电期间保持数据
  • 保持电流低节省能量
  • 低漏电减少功耗损失
  • 位错误可纠正更可靠
  • 异步SRAM时序易实现
  • Hi-Z输出便于共享总线

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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