CY621472GN30-45ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY621472GN30-45ZSXI

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY621472GN30-45ZSXI
CY621472GN30-45ZSXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY621472GN30-45ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW
CY621472GN30-45ZSXI是一款4-Mbit（256K×16）CMOS MoBL SRAM，支持双片选（CE1/CE2）、16位I/O，并通过BHE与BLE实现字节控制。工作电压2.2 V至3.6 V，温度−40°C至+85°C，访问时间45 ns。自动掉电待机电流典型3.5 µA、最大8.7 µA，双字节关闭进入字节掉电，未选通时I/O为高阻。44引脚TSOP II封装。

特性

  • 4 Mbit SRAM，256K×16
  • 45 ns/55 ns访问时间可选
  • 16位I/O，带字节使能
  • BHE/BLE控制字节读写
  • 单或双片选使能输入
  • OE控制数据输出
  • 未选中时I/O为三态
  • BHE/BLE字节掉电功能
  • 待机电流典型3.5 µA
  • 待机电流最大8.7 µA
  • 读周期时间最小45 ns
  • I/O漏电流±1 µA

产品优势

  • 快速读取实现低延迟缓冲
  • 待机模式节能降功耗
  • 字节写入减少总线负载
  • 按字节掉电降低功耗
  • 灵活片选适配多总线
  • OE时序便于系统接口
  • 三态输出便于总线共享
  • 低漏电延长电池寿命
  • 45 ns读时序易做时序
  • 字节使能简化8位访问
  • CE使能后可快速上电
  • OE到数据短减少延迟

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区