CY62147EV18LL-55BVXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62147EV18LL-55BVXI

数据手册
封装

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CY62147EV18LL-55BVXI
CY62147EV18LL-55BVXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.65 V 至 2.25 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
CY62147EV18LL-55BVXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2400
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2400
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62147EV18LL-55BVXI是一款4 Mbit（256 K×16）CMOS静态RAM，面向低功耗便携式系统。器件在-40°C至+85°C下工作电压为1.65 V至2.25 V，访问时间55 ns。VCC=2.25 V时，fmax下ICC为15 mA典型值（20 mA最大值），1 MHz下工作电流2 mA典型值。未选中时自动掉电，待机电流1 µA典型值（7 µA最大值）。BLE/BHE字节使能支持x8访问。封装为无铅48球VFBGA。

特性

  • 4 Mbit SRAM，256K×16
  • 读周期55 ns (tRC)
  • 写周期45 ns (tWC)
  • 单电源1.65 V到2.25 V
  • 1 MHz典型有源电流2 mA
  • 典型待机电流1 µA
  • 未选中自动断电
  • VCC≥1.0 V可数据保持
  • 典型保持电流0.5 µA
  • 未选中输出高阻态
  • 字节使能：BLE和BHE
  • 输入/输出漏电±1 µA

产品优势

  • 适配16位总线SRAM
  • 55 ns支持高速CPU访问
  • 45 ns写入减少等待周期
  • 可直接使用1.8 V电源
  • 低有源功耗适合便携设备
  • µA级待机延长电池寿命
  • 空闲时自动降低功耗
  • 备用电源下保持数据
  • µA级保持适用纽扣电池
  • 高阻态避免总线冲突
  • 字节写入减少写带宽
  • 低漏电优化功耗预算

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区