CY62157ELL-55ZSXE
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62157ELL-55ZSXE

数据手册
封装

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CY62157ELL-55ZSXE
CY62157ELL-55ZSXE
数据手册


商品详情

  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn;Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 16
  • 质量等级
    Automotive
  • 速度
    55 ns

推荐的
OPN
CY62157ELL-55ZSXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 135
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 135
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
US
CY62157ELL-55ZSXE是一款8-Mbit（512 K×16）CMOS静态SRAM，44引脚TSOP II（无铅）封装，满足Automotive-E（-40°C至+125°C）。供电4.5 V至5.5 V，访问时间55 ns，提供CE/OE控制与BHE/BLE字节使能，可实现8位传输。未选通时自动掉电，待机典型2 µA（最大30 µA）；1 MHz下工作电流典型1.8 mA（最大4 mA）。

特性

  • 512K×16 CMOS SRAM
  • 4.5 V–5.5 V单电源
  • 45 ns读周期时间(tRC)
  • OE访问22 ns最大(tDOE)
  • 1 MHz时1.8 mA典型
  • 待机电流2 µA典型
  • 未选通自动掉电
  • BHE/BLE支持字节写
  • CE1/CE2便于扩展
  • 兼容TTL输入电平
  • 取消选通/OE高时高阻
  • ESD耐受>2001 V(HBM)

产品优势

  • 16位存储接口更简单
  • 可直接使用5 V电源
  • 快速读减少CPU等待
  • OE控制便于共享总线
  • 运行电流低更省电
  • µA级待机延长电池寿命
  • 空闲时自动降低功耗
  • 字节写减少总线传输
  • 便于多芯片扩展容量
  • 兼容传统TTL处理器
  • 高阻输出避免总线冲突
  • 更强ESD提升可靠性
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