CY62157EV18LL-55BVXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62157EV18LL-55BVXIT

数据手册
封装

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CY62157EV18LL-55BVXIT
CY62157EV18LL-55BVXIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.65 V 至 2.25 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 16
  • 认证标准
    Industrial

推荐的
OPN
CY62157EV18LL-55BVXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62157EV18LL-55BVXIT是一款8 Mbit（512K×16）CMOS异步SRAM，工作电压1.65 V至2.25 V（典型1.8 V），速度等级55 ns。支持BHE/BLE字节写入，使用CE1/CE2与OE/WE实现读写与待机。自动掉电将待机电流降至典型2 µA（最大8 µA）；1 MHz时典型6 mA，fmax时最大25 mA，封装为48球无铅VFBGA。

特性

  • 8 Mbit SRAM，512K×16组织
  • 55 ns读写周期(tRC/tWC)
  • 单电源VCC 1.65 V–2.25 V
  • 1 MHz时有源电流6 mA
  • 待机2 uA，最大8 uA
  • 数据保持电压VCC=1.0 V
  • 数据保持电流最大9 uA
  • OE控制三态输出
  • 双片选输入CE1/CE2
  • BHE/BLE支持字节写

产品优势

  • 适配16位系统，少外部逻辑
  • 55 ns周期支持快速访问
  • 适用于1.8 V电源轨
  • SRAM读写时降低有源功耗
  • 待机更省电，延长续航
  • 备份供电下仍可保数据
  • 保持电流低，省电
  • 输出易共享，总线更简单
  • CE1/CE2便于容量扩展
  • 按字节更新，减少写入

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区