CY62157GE30-45ZXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62157GE30-45ZXIT

数据手册
封装

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CY62157GE30-45ZXIT
CY62157GE30-45ZXIT
数据手册
  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 16
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY62157GE30-45ZXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62157GE30-45ZXIT是一款8 Mbit（512K×16）CMOS MoBL SRAM，集成ECC，可检测并纠正单比特错误，并提供ERR指示输出。器件工作电压2.2 V至3.6 V，45 ns访问时间；自动掉电待机电流典型1.4 µA、在85°C最大6.5 µA。双片选与字节写使能支持灵活访问。

特性

  • 8 Mbit SRAM（512K×16）
  • 内置ECC纠正1位错误
  • ERR脚指示已纠正的错误
  • 45 ns读/写周期时间
  • VCC供电1.65 V至3.6 V
  • 待机电流最大6.5 µA
  • VDR=1.0 V数据保持
  • 双片选输入（CE1, CE2）
  • BHE/BLE支持字节写
  • 未选中/OE高时输出高阻
  • BHE与BLE高时字节掉电
  • HBM ESD等级>2001 V

产品优势

  • ECC提升SRAM数据完整性
  • ERR输出简化错误处理
  • 45 ns访问支持高速CPU
  • 1.65–3.6 V适配多电源系统
  • 最大6.5 µA降低待机功耗
  • 1.0 V保持节省备份能量
  • 双片选便于存储体选择
  • 字节写减少总线带宽占用
  • 高阻输出便于总线共享
  • 字节掉电降低空闲功耗
  • HBM>2001 V提高可靠性
  • 清晰时序加快系统验证

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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