CY62157H30-45BVXA
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62157H30-45BVXA

数据手册
封装

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CY62157H30-45BVXA
CY62157H30-45BVXA
数据手册


商品详情

  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 16
  • 质量等级
    Automotive(A)
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY62157H30-45BVXA
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
TW
CY62157H30-45BVXA是一款通过AEC-Q100认证的8-Mbit（512K×16）CMOS SRAM，集成ECC用于单比特错误校正。其工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围−40°C至+85°C，访问时间45 ns。双片选与字节写入（BHE/BLE）便于灵活映射，自动掉电模式实现5.5 μA典型（16 μA最大）待机电流，以及在fMAX下29 mA典型工作电流。

特性

  • 8 Mbit SRAM（512K×16）
  • 内置ECC单比特纠错
  • 45 ns读/写周期时间
  • VCC工作范围2.2 V至3.6 V
  • 待机电流典型5.5 µA
  • 待机电流最大16 µA
  • 工作ICC最大36 mA@fMAX
  • 1.0 V数据保持模式
  • 字节写使能（BHE/BLE）
  • 双片选输入CE1/CE2
  • OE到高阻最大18 ns
  • TTL兼容输入/输出电平

产品优势

  • ECC提升数据完整性
  • 45 ns支持高速CPU访问
  • 2.2-3.6 V适配3.3 V电源
  • µA级待机延长电池寿命
  • 低待机上限降低空闲功耗
  • ICC上限便于电源预算
  • 1.0 V保持降低备电功耗
  • 字节使能降低写入能耗
  • 双片选支持存储体选择
  • 快速高阻便于总线共享
  • TTL电平简化接口设计
  • 20 mA灌电流可直驱负载

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区