CY62158G30-45BVXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62158G30-45BVXI

数据手册
封装

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CY62158G30-45BVXI
CY62158G30-45BVXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 8
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
CY62158G30-45BVXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 480
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 480
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62158G30-45BVXI是一款8 Mbit（1M × 8）CMOS MoBL SRAM，内置ECC用于单比特错误校正。器件速度45 ns，电源2.2 V至3.6 V，工作温度-40°C至85°C，并通过双片选CE1/CE2及OE/WE实现读写控制与自动掉电。待机电流最大6.5 µA。提供无铅48球VFBGA封装，并支持1.0 V数据保持。

特性

  • 8 Mbit SRAM（1M×8）
  • 内置ECC单比特纠错
  • 45 ns读/写周期
  • VCC工作2.2 V到3.6 V
  • 数据保持低至1.0 V
  • 待机电流典型1.4 µA
  • 待机电流最大6.5 µA
  • 22 MHz时ICC最大25 mA
  • 双片选输入（CE1/CE2）
  • OE/WE控制；输出高阻
  • CMOS TTL兼容I/O电平
  • 工作温度-40°C到+85°C

产品优势

  • ECC提升数据完整性
  • 45 ns支持快速SRAM访问
  • 2.2–3.6 V适配3 V电源
  • 1.0 V保持数据不丢失
  • µA级待机延长电池寿命
  • 低ICC降低系统功耗
  • 双片选简化电源门控
  • 高阻输出便于总线共享
  • TTL I/O便于MCU直连
  • -40°C到+85°C更可靠
  • 低SER FIT提升稳健性
  • 无写回避免意外改写

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区