CY62167G-45ZXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62167G-45ZXIT

封装

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CY62167G-45ZXIT
CY62167G-45ZXIT

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY62167G-45ZXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62167G-45ZXIT是一款16 Mbit（1M×16或2M×8）CMOS静态RAM，集成ECC用于单比特纠错，并支持字节掉电。器件在工业温度范围（−40°C至85°C）下、4.5 V至5.5 V供电时提供45 ns访问速度，自动掉电待机电流最大16 µA。支持双片选及BHE/BLE字节使能写入。封装为48-pin TSOP I，卷带包装。

特性

  • 16 Mbit SRAM；1M×16或2M×8
  • 内置ECC单比特纠错
  • ERR输出提示已纠正错误
  • 读周期时间45 ns或55 ns
  • OE到数据有效22 ns(45ns)
  • 电源1.65–2.2 V或4.5–5.5 V
  • 待机电流最大16 µA(5 V)
  • BHE/BLE字节写使能
  • BHE/BLE高时字节掉电
  • 未选中时I/O三态
  • TTL兼容输入/输出
  • 工作温度–40°C到+85°C

产品优势

  • ECC提升SRAM数据可靠性
  • ERR引脚便于故障监测
  • 45/55 ns访问支持高速CPU
  • 22 ns OE时序减少等待
  • 双VCC选项便于平台复用
  • 待机最大16 µA延长电池寿命
  • 字节写节省带宽与功耗
  • 字节掉电降低空闲电流
  • 三态输出便于总线共享
  • TTL I/O便于逻辑接口
  • –40°C到+85°C适用严苛环境
  • 16 Mbit容量减少外部存储
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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