CY62167GE30-45ZXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62167GE30-45ZXIT

数据手册
封装

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CY62167GE30-45ZXIT
CY62167GE30-45ZXIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
CY62167GE30-45ZXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
TW
CY62167GE30-45ZXIT is a 16-Mbit (1M × 16 or 2M × 8) asynchronous CMOS SRAM with embedded ECC for single-bit error correction and an ERR output that flags correction events during reads. It operates from 2.2 V to 3.6 V over -40°C to 85°C with 45 ns access time. Low-power modes include automatic power-down with 1.5 µA typical standby (8 µA max) and 35 mA max active ICC at 22.22 MHz.

特性

  • 16-Mbit SRAM; 1M×16 or 2M×8
  • Embedded ECC single-bit correction
  • ERR output flags corrected errors
  • VCC operating 2.2 V to 3.6 V
  • 45 ns read cycle time (tRC)
  • 45 ns write cycle time (tWC)
  • Auto power-down standby 1.5 µA typ
  • 8 µA max standby current (ISB1)
  • 1.0 V data retention (VDR)
  • TTL-compatible inputs and outputs
  • Byte write via BHE/BLE enables
  • 10 pF max input/output capacitance

产品优势

  • Flexible bus width cuts redesign
  • ECC corrects 1-bit memory errors
  • ERR pin enables fast fault logging
  • 2.2–3.6 V fits 3.3 V systems
  • 45 ns access supports fast CPUs
  • 45 ns writes reduce wait states
  • 1.5 µA typ extends battery life
  • 8 µA max lowers standby budget
  • 1.0 V retention preserves data
  • TTL I/O eases legacy interfacing
  • Byte enables reduce write power
  • Low C eases signal integrity

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区