CY62167GN30-45BVXIT
现货，推荐
符合RoHS标准

CY62167GN30-45BVXIT

数据手册
封装

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CY62167GN30-45BVXIT
CY62167GN30-45BVXIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY62167GN30-45BVXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62167GN30-45BVXIT是一款16-Mbit CMOS SRAM，可配置为1M × 16或2M × 8，访问时间45 ns。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C，未选通时提供自动掉电。22.22 MHz下工作ICC最大35 mA，待机电流最大8 µA。BLE/BHE支持字节写入；未选通或OE为HIGH时I/O为高阻。无铅48球VFBGA（BV48）。

特性

  • 16 Mbit SRAM，1M×16/2M×8
  • 读周期45 ns (tRC)
  • OE到数据有效22 ns
  • VCC 2.2 V至3.6 V
  • 待机电流典型1.5 µA
  • 待机电流最大8 µA
  • ICC最大35 mA@22.22 MHz
  • 数据保持电压VDR=1 V
  • 保持电流最大8 µA
  • BHE/BLE字节使能
  • CE/OE控制I/O高阻
  • ESD>2001 V(883法)

产品优势

  • 16/8位总线接口更灵活
  • 45 ns访问满足高速CPU
  • OE 22 ns降低读延迟
  • 2.2–3.6 V适配3 V系统
  • 1.5 µA待机延长电池续航
  • 8 µA上限降低休眠功耗
  • ICC 35 mA上限降低功耗
  • VCC降至1 V仍可保数据
  • µA级保持减少备份电源
  • 字节写入降低写入能耗
  • 高阻I/O便于扩展存储
  • 高ESD提升系统可靠性
文档

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