CY62167GN30-45ZXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62167GN30-45ZXIT

数据手册
封装

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CY62167GN30-45ZXIT
CY62167GN30-45ZXIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
CY62167GN30-45ZXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
TW
CY62167GN30-45ZXIT is a 16-Mbit CMOS SRAM organized as 1M × 16 or 2M × 8 with byte enables (BHE, BLE) and dual chip enables for easy memory expansion. It operates from 2.2 V to 3.6 V over -40°C to +85°C and provides 45 ns access time. Low-power modes include automatic power-down with 1.5 µA typical standby, supporting battery-powered embedded systems. The device is offered in a 48-pin Pb-free TSOP I package.

特性

  • 16-Mbit SRAM; 1M×16 or 2M×8
  • 45 ns read cycle time (tRC)
  • 22 ns OE to data valid (tDOE)
  • 2.2 V to 3.6 V supply (VCC)
  • 1.5 µA typ standby current (ISB)
  • 8 µA max standby current (ISB1)
  • 35 mA max ICC at 22.22 MHz
  • 1 V data retention supply (VDR)
  • 8 µA max data retention (ICCDR)
  • Byte enables BHE/BLE for 8-bit
  • High-Z I/O via CE/OE/BHE/BLE
  • ESD >2001 V (MIL-STD-883)

产品优势

  • Flexible 16/8-bit bus interface
  • 45 ns access supports fast CPU
  • 22 ns OE improves read latency
  • 2.2–3.6 V fits 3 V systems
  • 1.5 µA standby extends battery
  • 8 µA max limits sleep power
  • 35 mA max reduces active power
  • Retains data down to 1 V VCC
  • µA retention cuts backup power
  • Byte writes cut write energy
  • High-Z enables easy expansion
  • High ESD improves robustness

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区