CY62167GN30-45ZXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62167GN30-45ZXIT

数据手册
封装

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CY62167GN30-45ZXIT
CY62167GN30-45ZXIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 认证标准
    Industrial

推荐的
OPN
CY62167GN30-45ZXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62167GN30-45ZXIT是一款16-Mbit CMOS SRAM，可配置为1M × 16或2M × 8，带BHE/BLE字节使能与双片选，便于存储扩展。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C，访问时间45 ns。支持自动掉电低功耗模式，典型待机电流1.5 µA，适用于电池供电嵌入式系统。器件采用48引脚无铅TSOP I封装。

特性

  • 16 Mbit SRAM，1M×16/2M×8
  • 读周期45 ns (tRC)
  • OE到数据有效22 ns
  • VCC 2.2 V至3.6 V
  • 待机电流典型1.5 µA
  • 待机电流最大8 µA
  • ICC最大35 mA@22.22 MHz
  • 数据保持电压VDR=1 V
  • 保持电流最大8 µA
  • BHE/BLE字节使能
  • CE/OE控制I/O高阻
  • ESD>2001 V(883法)

产品优势

  • 16/8位总线接口更灵活
  • 45 ns访问满足高速CPU
  • OE 22 ns降低读延迟
  • 2.2–3.6 V适配3 V系统
  • 1.5 µA待机延长电池续航
  • 8 µA上限降低休眠功耗
  • ICC 35 mA上限降低功耗
  • VCC降至1 V仍可保数据
  • µA级保持减少备份电源
  • 字节写入降低写入能耗
  • 高阻I/O便于扩展存储
  • 高ESD提升系统可靠性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区