CY62177G30-55ZXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62177G30-55ZXIT

数据手册
封装

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CY62177G30-55ZXIT
CY62177G30-55ZXIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    32 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    2M x 16
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY62177G30-55ZXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62177G30-55ZXIT是一款32-Mbit（2M×16或4M×8）的异步MoBL SRAM，内置ECC用于单比特纠错。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至85°C，55 ns访问时间。自动掉电使待机电流典型值3 µA（最大19 µA）。CMOS/TTL电平I/O与字节使能支持8/16位访问。ZXIT为无铅48引脚TSOP I，工业级，卷带包装。

特性

  • 16 Mbit SRAM，1M×16或2M×8
  • 内置ECC纠正1位错误
  • ERR引脚提示ECC事件(GE30)
  • 读周期时间55 ns(tRC)
  • OE到数据有效最大25 ns
  • VCC工作范围2.2 V–3.6 V
  • 待机典型3 µA，最大19 µA
  • 1.5 V数据保持
  • ICCDR典型3 µA，最大19 µA
  • BHE/BLE支持字节写入
  • 自动掉电(ISB1/ISB2)
  • 未选中时I/O为高阻

产品优势

  • ECC降低软错误导致的数据损坏
  • ERR输出便于健康监测
  • 55 ns访问支持高速读SRAM
  • 25 ns OE时序简化总线设计
  • 2.2–3.6 V适配3.3 V电源
  • 超低待机降低空闲功耗
  • 1.5 V保持断电数据不丢失
  • 低ICCDR延长备份电源续航
  • 字节使能减少写入流量
  • 自动掉电节省能耗
  • 高阻输出便于共享总线
  • 16/8位模式便于系统复用

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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