现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1041GN30-10ZSXI

符合工业标准且性能可靠的高密度 4 Mbit 并行快速 SRAM
数据手册
封装
每件.
有存货

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CY7C1041GN30-10ZSXI
CY7C1041GN30-10ZSXI
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ)
    2.2 V to 3.6 V
  • 工作电压
    2.2 V to 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推荐的
OPN
CY7C1041GN30-10ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 1350
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 1350
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY7C1041GN30-10ZSXI 是一款高性能 256 K x 16 CMOS 快速静态 RAM，可提供高效的数据写入和读取。它利用芯片启用、写入启用、字节高启用、字节低启用和输出启用输入进行精确的内存访问，满足不同的应用需求。

特性

  • 高速
  • 低工作电流和待机电流
  • 工作电压范围：2.2 V 至 3.6 V
  • 1.0 V 数据保留时间
  • TTL 兼容输入和输出

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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