CY7C1041GN30-10ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1041GN30-10ZSXI

符合工业标准且性能可靠的高密度 4 Mbit 并行快速 SRAM
数据手册
封装

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CY7C1041GN30-10ZSXI
CY7C1041GN30-10ZSXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推荐的
OPN
CY7C1041GN30-10ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1041GN30-10ZSXI是一款4 Mbit（256K×16）的异步CMOS高速SRAM，面向2.2 V至3.6 V工业系统（-40°C至+85°C）。支持10 ns地址访问时间tAA，并通过BLE/BHE实现字节读写。在VCC 2.7 V至3.6 V下，TTL兼容I/O指标为VOH≥2.4 V、VOL≤0.4 V。电流指标包括ICC在fMAX下最大45 mA、CMOS待机ISB2最大8 mA。提供无铅44引脚TSOP II封装。

特性

  • 4 Mbit SRAM，256K×16
  • tAA访问时间10 ns/15 ns
  • 18位地址总线A0到A17
  • 16位I/O总线I/O0到I/O15
  • BHE与BLE字节写使能
  • CE与OE控制读/高阻态
  • 数据保持电压低至1.0 V
  • VDR=1 V数据保持
  • tRC读周期10 ns/15 ns
  • tDOE：OE到数据4.5/8 ns
  • 待机电流ISB2典型6 mA
  • 输入/输出漏电±1 µA

产品优势

  • 10 ns高速访问降低延迟
  • 16位总线提升吞吐量
  • 字节写减少写入流量
  • 高阻态输出便于总线共享
  • 1.0 V保持模式保护数据
  • 多VCC选项适配电源轨
  • 低待机电流节省功耗
  • 低漏电利于低功耗设计
  • CE/OE/WE控制逻辑简单
  • OE快速访问加速读取
  • 10/15 ns周期易做时序设计
  • 电平稳定便于接口匹配
文档

设计资源

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