CY7C1049G30-10ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1049G30-10ZSXI

数据手册
封装

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CY7C1049G30-10ZSXI
CY7C1049G30-10ZSXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    10 ns

推荐的
OPN
CY7C1049G30-10ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW
CY7C1049G30-10ZSXI是一款4 Mbit（512K×8）的异步CMOS SRAM，内置ECC，可进行单比特纠错。器件tAA为10 ns，供电2.2 V至3.6 V，工作温度-40°C至+85°C。器件支持单/双片选，采用无铅44引脚TSOP II封装，并支持1.0 V数据保持与CE自动掉电待机（ISB2最大8 mA）。

特性

  • 4 Mbit SRAM（512K×8）
  • 内置ECC可校正1位错误
  • tAA地址访问低至10 ns
  • VCC=1.0 V支持数据保持
  • CE自动掉电（ISB2最大8 mA）
  • 100 MHz时ICC最大45 mA
  • tDOE输出使能至数据4.5 ns
  • 输入/输出TTL兼容
  • 未选通或OE高时I/O高阻
  • 环境工作–40°C至+85°C
  • 直流I/O漏电最大±1 µA
  • ERR输出提示ECC事件（GE）

产品优势

  • ECC提升读取数据可靠性
  • ERR引脚便于错误监控
  • 10 ns访问支持高速CPU
  • 宽VCC适配多电源系统
  • 1.0 V保持降低备份功耗
  • CE掉电降低待机损耗
  • ICC最大45 mA便于功耗预算
  • OE访问快降低读延迟
  • 高阻输出便于总线共享
  • TTL电平简化接口逻辑
  • –40°C至+85°C增强可靠性
  • 低漏电减少空闲损耗

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区