CY7C1061G30-10BVJXIT

数据手册

封装

数据手册

密度

16 MBit
峰值回流温度

260 °C
工作温度范围

-40 °C 至 85 °C
工作电压 (VCCQ) 范围

2.2 V 至 3.6 V
工作电压范围

2.2 V 至 3.6 V
引线球表面

Sn/Ag/Cu
接口

Parallel
目前计划的可用性至少到

2033
系列

FAST SRAM
组织(X x Y)

1M x 16
认证标准

Industrial
速度

10 ns

	推荐的
OPN	CY7C1061G30-10BVJXIT
产品状态	active and preferred
英飞凌封装名称	PG-VFBGA-48
封装名	VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸	2000
封装类型	TAPE & REEL
湿度	3
防潮封装	DRY
无铅	Yes
无卤素	Yes
符合RoHS标准	Yes

产品状态	Active
英飞凌封装名称	PG-VFBGA-48
封装名	VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸	2000
封装类型	TAPE & REEL
湿度	3
防潮封装	DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

CY7C1061G30-10BVJXIT是一款16-Mbit（1M×16）高速异步CMOS SRAM，内嵌ECC用于单比特错误校正。器件工作电压2.2 V至3.6 V，工业级温度范围-40°C至85°C，tAA为10 ns，输入/输出与TTL兼容。支持双片选、BLE/BHE字节写入，以及CE自动掉电（ISB2典型20 mA）。48球VFBGA（BV）封装，卷带供货。

特性

16 Mbit(1M×16)异步SRAM
内置ECC单比特纠错
ERR输出指示纠正的1位错
tAA访问时间10 ns/15 ns
16位I/O，BLE/BHE字节写
单或双片选输入
片选自动掉电(ISB1/ISB2)
ICC典型90 mA@100 MHz
1.0 V数据保持模式
TTL兼容I/O电平
环境温度-40°C至+85°C
ESD>2001 V(MIL-STD-883)

产品优势

ECC提升SRAM数据完整性
ERR引脚便于错误监测
10 ns访问支持高速读取
字节写减少写入带宽
片选选项便于系统集成
自动掉电降低待机功耗
1.0 V保持降低备份电源
TTL电平简化总线接口
-40°C至+85°C更可靠
高ESD提升装配裕量
更低有源电流减小发热
异步SRAM简化控制器逻辑

应用

设计资源

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }

CY7C1061G30-10BVJXIT

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