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CY7C1062G30-10BGXIT
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无铅

CY7C1062G30-10BGXIT

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CY7C1062G30-10BGXIT
CY7C1062G30-10BGXIT


商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 32
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    10 ns

OPN
CY7C1062G30-10BGXIT
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 BGA-119 (51-85115)
封装尺寸 500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
TW

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 BGA-119 (51-85115)
封装尺寸 500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
TW
CY7C1062G30-10BGXIT is a 16-Mbit (512 K x 32) asynchronous CMOS SRAM with embedded ECC for single-bit error detection and correction. It operates from 2.2 V to 3.6 V over -40°C to +85°C (industrial) and supports 10 ns address access time. Three chip enables support memory expansion, and automatic power-down reduces current when deselected. Supplied in a 119-ball Pb-free PBGA tape-and-reel package.

特性

  • 16-Mbit SRAM (512K x 32)
  • Embedded ECC for single-bit fix
  • ERR output flags 1-bit ECC event
  • Address access time tAA 10 ns/15 ns
  • 4 byte enables (BA, BB, BC, BD)
  • 3 chip enables for expansion (CE1-3)
  • Automatic power-down on deselect
  • High-Z outputs when disabled
  • TTL-compatible I/O levels
  • VCC: 1.65-2.2 V or 2.2-3.6 V
  • Data retention at VDR = 1.0 V
  • ESD (HBM) > 2001 V

产品优势

  • Fits 32-bit data paths directly
  • ECC improves data integrity
  • ERR pin speeds fault handling
  • 10 ns/15 ns enables fast access
  • Byte writes cut bus bandwidth
  • 3 enables simplify bank expansion
  • Auto power-down reduces standby
  • High-Z eases bus sharing
  • TTL I/O eases logic interfacing
  • Works across common supply rails
  • 1.0 V retention saves battery
  • >2001 V ESD improves robustness

应用

文档

设计资源

开发者社区