CY7C1069G30-10ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1069G30-10ZSXI

数据手册
封装

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CY7C1069G30-10ZSXI
CY7C1069G30-10ZSXI
数据手册
  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    2M x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推荐的
OPN
CY7C1069G30-10ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 216
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 216
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1069G30-10ZSXI是一款16 Mbit（2M×8）异步CMOS SRAM，内置ECC，可进行单比特错误校正。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40至85°C，访问时间10 ns（tAA）。低功耗：100 MHz下ICC典型90 mA，待机ISB2典型20 mA。双片选CE1/CE2及OE/WE控制便于接口。无铅54引脚TSOP II封装，不带ERR输出。

特性

  • 2M字×8位SRAM阵列
  • 内置ECC单比特纠错
  • tAA地址访问低至10 ns
  • 读周期tRC低至10 ns
  • tDOE低至5 ns
  • VCC=1.0 V数据保持
  • 100 MHz时ICC典型90 mA
  • 掉电电流ISB2典型20 mA
  • 双片选输入(CE1,CE2)
  • 未选中时输出高阻
  • TTL兼容输入/输出
  • >2001 V ESD(MIL-STD-883)

产品优势

  • 纠正SRAM单比特软错误
  • 通过ERR简化错误监测
  • 10 ns访问支持高速CPU
  • 5 ns OE实现快速总线读
  • 10 ns读周期提升吞吐
  • 1.0 V保持降低备份功耗
  • 100 MHz下降低运行电流
  • 掉电电流更低降低空闲耗电
  • 双片选便于地址译码
  • 高阻输出便于总线共享
  • TTL电平减少接口逻辑
  • 高ESD提升抗静电可靠性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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