CY7C1069GN30-10ZSXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1069GN30-10ZSXIT

数据手册
封装

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CY7C1069GN30-10ZSXIT
CY7C1069GN30-10ZSXIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    2M x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    10 ns

推荐的
OPN
CY7C1069GN30-10ZSXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1069GN30-10ZSXIT为16 Mbit（2M × 8）异步CMOS SRAM，采用无铅54引脚TSOP II封装，供电2.2 V至3.6 V，工业级-40°C至+85°C。器件访问时间10 ns，fMAX下工作电流最高110 mA，并在未选通时自动掉电。双片选CE、OE与WE支持简洁读写控制，并便于嵌入式系统的存储器扩展。

特性

  • 16 Mbit（2M×8）SRAM
  • 10 ns地址访问（tAA）
  • 10 ns读周期时间（tRC）
  • 10 ns写周期时间（tWC）
  • OE到数据有效5 ns（tDOE）
  • VCC工作范围2.2–3.6 V
  • 100 MHz典型ICC 90 mA
  • 取消选通自动掉电
  • 未选通时输出高阻
  • TTL兼容输入/输出
  • 1.0 V数据保持（VDR）
  • 21位地址A0–A20，8位IO

产品优势

  • 10 ns访问支持高速读取
  • 10 ns周期提升数据吞吐
  • tDOE=5 ns降低读延迟
  • 2.2–3.6 V适配3.3 V电源
  • 典型90 mA便于功耗预算
  • 自动掉电降低空闲功耗
  • 高阻输出便于共享总线
  • TTL电平简化逻辑接口
  • 1.0 V保持可保存数据
  • 保持模式降低备份功耗
  • 21位地址便于映射2M单元
  • 8位IO匹配字节宽MCU

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区