CY7C1069GN30-10ZSXIT
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1069GN30-10ZSXIT

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CY7C1069GN30-10ZSXIT
CY7C1069GN30-10ZSXIT


商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    2M x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    10 ns

OPN
CY7C1069GN30-10ZSXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
TW
CY7C1069GN30-10ZSXIT is a 16-Mbit (2M × 8) fast asynchronous CMOS SRAM in a Pb-free 54-pin TSOP II, supplied at 2.2 V to 3.6 V for -40°C to +85°C industrial operation. It delivers 10 ns access time and up to 110 mA operating current at fMAX, with automatic power-down when deselected. Dual chip enables, OE, and WE support simple read/write control and easy memory expansion in embedded systems.

特性

  • 16-Mbit (2M × 8) SRAM
  • 10 ns address access (tAA)
  • 10 ns read cycle time (tRC)
  • 10 ns write cycle time (tWC)
  • 5 ns OE to data valid (tDOE)
  • 2.2 V to 3.6 V VCC operation
  • 90 mA typ ICC at 100 MHz
  • Automatic power-down deselect
  • High-Z outputs when deselected
  • TTL-compatible inputs and outputs
  • 1.0 V data retention (VDR)
  • 21-bit addr (A0–A20), 8-bit I/O

产品优势

  • 10 ns access supports fast reads
  • 10 ns cycles raise data throughput
  • 5 ns OE access cuts read latency
  • 2.2–3.6 V fits 3.3 V rails
  • 90 mA typ helps power budgeting
  • Auto power-down reduces idle power
  • High-Z enables shared bus systems
  • TTL I/O eases logic interfacing
  • 1.0 V retention preserves contents
  • Retention mode lowers backup power
  • 21-bit address maps 2M locations
  • 8-bit I/O matches byte-wide MCUs

应用

文档

设计资源

开发者社区