CY7C1383KV33-133AXCT

数据手册

封装

数据手册

ECC

N
密度

18 MBit
峰值回流温度

260 °C
工作温度范围

0 °C 至 70 °C
工作电压范围

3.135 V 至 3.6 V
引线球表面

Pure Sn
接口

Parallel
数据宽度

x 18
架构

Standard Sync, Flow-through
片上端接

N
目前计划的可用性至少到

2031
系列

Standard Sync
组织(X x Y)

1Mb x 18
脉冲长度 (Words)

4
认证标准

Commercial
读取延迟(周期)

1
银行切换

N
频率

133 MHz

	推荐的
OPN	CY7C1383KV33-133AXCT
产品状态	active and preferred
英飞凌封装名称	PG-TQFP-100
封装名	TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸	750
封装类型	TAPE & REEL
湿度	3
防潮封装	DRY
无铅	Yes
无卤素	Yes
符合RoHS标准	Yes

产品状态	Active
英飞凌封装名称	PG-TQFP-100
封装名	TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸	750
封装类型	TAPE & REEL
湿度	3
防潮封装	DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

CY7C1383KV33-133AXCT是一款18 Mbit（1M×18）同步直通式SRAM，集成片上ECC，适用于高速微处理器/缓存接口。支持133 MHz总线工作，时钟到数据访问延迟6.5 ns，并通过可选线性或交错突发计数器实现2-1-1-1突发速率。内核电源VDD为3.135 V至3.6 V，I/O电源VDDQ为2.375 V至3.6 V，并提供ZZ睡眠模式。

特性

18-Mbit同步贯通式SRAM
通用I/O：512K×36或1M×18
133 MHz总线工作
最大6.5 ns时钟到数据(tCDV)
2-1-1-1突发访问速率
2位回绕突发计数器
MODE选线性或交织突发
ADSP或ADSC启动突发
ADV控制突发地址前进
BWE与BWx支持字节写
GW全局写覆盖字节写
ZZ睡眠模式，进出2周期

产品优势

高速SRAM降低读延迟
18-Mbit满足缓存/缓冲需求
133 MHz适配高速处理器
6.5 ns提升时序裕量
突发访问提高吞吐
内部计数器减少地址逻辑
突发类型匹配CPU访问
ADSP/ADSC便于CPU+缓存连接
ADV便于控制突发节奏
字节写减少写入流量
GW加速整字更新
ZZ睡眠降低空闲功耗

应用

设计资源

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CY7C1383KV33-133AXCT

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