CY7C1471BV25-133AXI
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1471BV25-133AXI

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CY7C1471BV25-133AXI
CY7C1471BV25-133AXI


商品详情

  • ECC
    N
  • Frequency
    133 MHz
  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.38 V 至 2.63 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    NoBL, Flow-through
  • 片上端接
    N
  • 系列
    NoBL
  • 组织(X x Y)
    2Mb x 36
  • 质量等级
    Industrial
  • 银行切换
    N

OPN
CY7C1471BV25-133AXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 144
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 144
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
US
CY7C1471BV25-133AXI是一款72 Mbit(2 M × 36)同步直通突发SRAM,采用No Bus Latency(NoBL)架构,实现读写真正背靠背且无等待。支持133 MHz,时钟到数据有效tCDV为6.5 ns,并带输入寄存器。支持字节写、线性或交织4拍突发、三路片选加OE便于扩展,以及ZZ睡眠模式并保持数据。

特性

  • NoBL消除总线空周期
  • 同步总线高达133 MHz
  • tCDV时钟到数据6.5 ns
  • 每个时钟周期传输数据
  • 同步输入寄存器
  • BWX+WE支持字节写入
  • 突发顺序线性或交错
  • 三路片选CE1-CE3
  • 异步输出使能OE
  • CEN可挂起时钟操作
  • ZZ模式自动掉电
  • VDD工作2.375–2.625 V

产品优势

  • 支持读写真正无缝切换
  • 133 MHz下实现高吞吐
  • 6.5 ns访问降低延迟
  • 每拍传输提升带宽利用
  • 输入寄存器简化时序
  • 字节写入减少写入流量
  • 突发读适配缓存行访问
  • 简化存储深度/分组扩展
  • 共享总线可快速三态
  • 无需额外逻辑即可暂停
  • ZZ或CE降低空闲功耗
  • 2.5 V内核简化供电设计

应用

文档

设计资源

开发者社区