CY7C1472V33-200AXC
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1472V33-200AXC

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CY7C1472V33-200AXC
CY7C1472V33-200AXC


商品详情

  • ECC
    N
  • Frequency
    200 MHz
  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    0 °C 至 70 °C
  • 工作电压 范围
    3.14 V 至 3.63 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 18
  • 架构
    NoBL, Pipeline
  • 片上端接
    N
  • 系列
    NoBL
  • 组织(X x Y)
    4Mb x 18
  • 读取延迟(周期)
    1
  • 质量等级
    Commercial
  • 银行切换
    N

OPN
CY7C1472V33-200AXC
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 144
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 144
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
US
CY7C1472V33-200AXC是一款72 Mbit同步流水线突发SRAM,组织为4M × 18,采用No Bus Latency (NoBL)实现读/写切换零等待。支持200 MHz工作,时钟到输出tCO为3.0 ns,输入/输出全寄存。片上突发计数器每个地址可完成最多4次线性或交错访问。支持BWa/BWb字节写。3.3 V内核,2.5 V/3.3 V I/O,Pb-free 100引脚TQFP封装。

特性

  • 72-Mbit同步流水突发SRAM
  • NoBL实现零总线延迟
  • 200 MHz总线,零等待
  • 输入/输出全寄存器化
  • tCO=3.0 ns时钟到输出
  • 片上突发计数器,4拍
  • 线性或交织突发顺序
  • BW[x]字节写选择
  • 单3.3 V VDD供电(3.135-3.6 V)
  • VDDQ支持3.3 V或2.5 V
  • ZZ睡眠模式,进出2tCYC
  • IEEE 1149.1 JTAG边界扫描

产品优势

  • 零延迟提升系统吞吐量
  • 200 MHz支持高速数据通路
  • 寄存器化I/O易于收敛时序
  • tCO 3.0 ns降低读延迟
  • 4拍突发减少地址开销
  • 可选突发适配控制器
  • 字节写加速读改写操作
  • 单3.3 V内核简化供电
  • 2.5/3.3 V I/O适配混压
  • ZZ模式降低待机功耗(120 mA)
  • 2tCYC唤醒实现快速恢复
  • JTAG边界扫简化板级测试

应用

文档

设计资源

开发者社区