CY7C1614KV18-250BZI
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CY7C1614KV18-250BZI

数据手册
封装

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CY7C1614KV18-250BZI
CY7C1614KV18-250BZI
数据手册


商品详情

  • ECC
    N
  • Frequency
    250 MHz
  • 密度
    144 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Pb
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    QDR-II
  • 片上端接
    N
  • 系列
    QDR-II
  • 组织(X x Y)
    4Mb x 36
  • 脉冲长度 (Words)
    2
  • 读取延迟(周期)
    1.5
  • 质量等级
    Industrial
  • 银行切换
    N

推荐的
OPN
CY7C1614KV18-250BZI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
P-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 525
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
P-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 525
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1614KV18-250BZI是一款144-Mbit QDR II同步流水突发SRAM，4M × 36结构，读写端口独立。支持两字突发与读写DDR接口，最高250 MHz。内核电源1.8 V，VDDQ为1.4 V至VDD。DOFF可选1.5周期（QDR II）或1周期（QDR I）读延迟，并提供回波时钟与片上PLL以支持时序。

特性

  • 独立读写双数据端口
  • 360 MHz时钟运行
  • DDR接口，数据达720 MHz
  • 所有访问均两字突发
  • 双输入时钟K和K
  • 独立输出时钟C和C
  • 回波时钟CQ和CQ
  • DOFF=1时1.5周期延迟
  • DOFF=0时1周期延迟
  • VDD电源1.8 V
  • VDDQ为1.4 V到VDD
  • IEEE 1149.1-2001 JTAG

产品优势

  • 无需总线翻转，带宽更高
  • 读写可并发进行
  • 360 MHz实现高吞吐
  • 回波时钟简化数据采样
  • C/C时钟降低时序偏斜
  • 可选延迟更易配时序
  • PLL提升数据对齐裕量
  • JTAG简化板级测试
  • 端口选择实现深度扩展
  • VDDQ范围便于接口匹配
  • 规定上电流程避免故障
  • 低软错误提升数据可靠性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区