CY7C25702KV18-550BZXI
现货，推荐
符合RoHS标准

CY7C25702KV18-550BZXI

数据手册
封装

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CY7C25702KV18-550BZXI
CY7C25702KV18-550BZXI
数据手册


商品详情

  • ECC
    N
  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    DDR-II+ CIO, ODT
  • 片上端接
    Y
  • 系列
    DDR-II+ CIO, ODT
  • 组织(X x Y)
    2Mb x 36
  • 脉冲长度 (Words)
    2
  • 认证标准
    Industrial
  • 读取延迟(周期)
    2.5
  • 银行切换
    N
  • 频率
    550 MHz

推荐的
OPN
CY7C25702KV18-550BZXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 680
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 680
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C25702KV18-550BZXI是一款72-Mbit DDR II+同步流水SRAM（2M × 36），采用双字突发架构。支持最高550 MHz时钟、1100 MHz DDR数据传输与2.5周期读延迟（DOFF为HIGH）。具备双输入时钟K/K、回波时钟CQ/CQ、QVLD数据有效指示与IEEE 1149.1 JTAG，便于高速采样和测试。供电：VDD 1.7 V至1.9 V，VDDQ 1.4 V至VDD，并集成ODT端接。

特性

  • 72-Mbit DDR II+ SRAM
  • 两字突发架构
  • 550 MHz时钟,DDR达1100 MHz
  • DOFF高:2.5周期读延迟
  • DDR I模式:1周期读延迟
  • 双输入时钟K/K
  • 回波时钟CQ/CQ
  • QVLD数据有效指示
  • D/BWS/KK内置ODT终端
  • PLL:120 MHz至fMAX,20 us锁定
  • BWS[x:0]支持字节写
  • ZQ: RQ 175–350Ω,±15%

产品优势

  • DDR 1100 MHz提升带宽
  • 两字突发降低地址翻转
  • 2.5周期延迟匹配流水线
  • DDR I模式兼容旧时序
  • K/K提升DDR时序裕量
  • CQ/CQ简化数据采样
  • QVLD减少读数据调试
  • ODT省外部电阻与面积
  • ZQ匹配提升信号完整性
  • PLL改善读数据对齐
  • 字节写避免读改写
  • 掉电模式降低待机电流

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区