CY7C2644KV18-333BZXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C2644KV18-333BZXI

数据手册
封装

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CY7C2644KV18-333BZXI
CY7C2644KV18-333BZXI
数据手册


商品详情

  • ECC
    N
  • Frequency
    333 MHz
  • 密度
    144 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    QDR-II+, ODT
  • 片上端接
    Y
  • 系列
    QDR-II+, ODT
  • 组织(X x Y)
    4Mb x 36
  • 脉冲长度 (Words)
    2
  • 读取延迟(周期)
    2.5
  • 质量等级
    Industrial
  • 银行切换
    N

推荐的
OPN
CY7C2644KV18-333BZXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 210
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 210
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
TW
CY7C2644KV18-333BZXI未出现在本数据手册中；最接近的在售型号为CYRS2644KV18-250GCMB，为144 Mbit（4M × 36）的QDR® II+同步流水线突发SRAM。器件采用独立读写端口与DDR接口（250 MHz时钟、500 MHz数据传输），DOFF为高时读延迟2个周期（DOFF为低时为QDR I模式、1个周期）。1.8 V内核、1.4 V至VDD的I/O适用于高速系统。

特性

  • QDR II+独立读写双端口
  • 每地址两字突发
  • 250 MHz DDR(500 MHz)
  • 读写分离D/Q无需回转
  • DOFF高:读延迟2周期
  • QDR I模式:读延迟1周期
  • D/BWS/K/K输入片上终端
  • 提供CQ/CQ回送时钟
  • QVLD指示输出数据有效
  • PLL支持120–250 MHz
  • ZQ外接RQ设定驱动阻抗
  • VDD 1.7–1.9 V; VDDQ 1.4–VDD

产品优势

  • 全双工读写提升带宽
  • 突发降低地址总线频率
  • 250 MHz接口满足高速链路
  • 无需总线回转避免争用
  • 2周期延迟更易做时序
  • QDR I模式兼容旧时序
  • ODT减少外部电阻与BOM
  • CQ/CQ简化高速数据采样
  • QVLD提升读数据可靠性
  • PLL改善输出时序裕量
  • 阻抗匹配减少振铃
  • VDD/VDDQ范围简化供电

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区