现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C4142KV13-106FCXC

高性能 QDR-IV 并行接口存储器，具有 1066 MHz 频率和片上终端，适用于商业应用
数据手册
封装

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CY7C4142KV13-106FCXC
CY7C4142KV13-106FCXC
数据手册

商品详情

  • ECC
    Y
  • Density
    144 MBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    0 °C to 70 °C
  • Operating Voltage
    1.26 V to 1.34 V
  • Lead Ball Finish
    Sn/Ag/Cu
  • Interfaces
    Parallel
  • Data Width
    x 36
  • Architecture
    QDR-IV
  • On-Die Termination
    Y
  • Family
    QDR-IV
  • Organization (X x Y)
    4Mb x 36
  • Burst Length (Words)
    2
  • Qualification
    Commercial
  • Read Latency (Cycles)
    8
  • Bank Switching
    Y
  • Frequency
    1066 MHz
受到推崇的
OPN
CY7C4142KV13-106FCXC
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-FCBGA-361
封装名 FCBGA-361 (001-70319)
包装尺寸 300
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-FCBGA-361
封装名 FCBGA-361 (001-70319)
包装尺寸 300
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
QDR ™ -IV XP（极限性能）SRAM 是一种高性能存储设备，通过使用两个独立的双向数据端口进行了优化，以最大限度地增加每秒的随机事务数量。这些端口配备有DDR接口，分别指定为端口A和端口B。对这两个数据端口的访问是并发的并且彼此独立。通过在 DDR 上运行的公共地址总线来访问每个端口。控制信号在 SDR 上运行并确定是否应执行读取或写入。

特性

  • 144 Mbit 密度（8M × 18、4M × 36）
  • 总随机交易率为 2132 MT/s
  • 最大工作频率 1066 MHz
  • 读取延迟为 8.0 个时钟周期
  • 写入延迟为 5.0 个时钟周期
  • 八存储体架构支持每周期每个存储体进行 1 次访问
  • 所有访问均采用双字突发
  • 双独立双向数据端口

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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