CY7S1061GE30-10BVXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7S1061GE30-10BVXI

数据手册
封装

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CY7S1061GE30-10BVXI
CY7S1061GE30-10BVXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推荐的
OPN
CY7S1061GE30-10BVXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 4800
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 4800
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7S1061GE30-10BVXI是一款16 Mbit（1 M×16）异步CMOS SRAM，集成ECC，并带ERR输出，在读操作中指示1位错误的检测/纠正事件。-10速度等级支持10 ns访问时间。器件工作电压2.2 V至3.6 V、温度-40°C至+85°C，支持PowerSnooze深度睡眠数据保持（IDS典型8 µA、最大22 µA），ISB2待机典型20 mA（最大30 mA）。

特性

  • 1 M×16位SRAM结构
  • 10 ns地址访问(tAA)
  • 内置ECC纠正1位错误
  • ERR脚指示ECC纠错事件
  • 深睡电流最大22 µA
  • 深睡数据保持(PowerSnooze)
  • 支持1.0 V数据保持
  • BHE/BLE支持字节写入
  • 三态I/O便于总线共享
  • 读周期tRC=10 ns
  • 写周期tWC=10 ns
  • 上电到首次访问100 µs

产品优势

  • 10 ns访问降低存储延迟
  • ECC提升数据完整性
  • ERR脚便于快速故障定位
  • 22 µA深睡降低能耗
  • 数据保持避免状态丢失
  • 1.0 V保持简化备份供电
  • 字节写减少总线带宽占用
  • 三态I/O便于多器件共享
  • 10 ns读周期支持快速读取
  • 10 ns写周期支持快速写入
  • 100 µs启动实现快速上电
  • x16接口匹配16位处理器

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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