现货，推荐
符合RoHS标准

CYPT15B101N-GGMB

英飞凌的抗辐射 1 Mb 非易失性铁电 RAM (F-RAM) 存储器可在极端环境下提供最高的可靠性和性能。
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CYPT15B101N-GGMB
CYPT15B101N-GGMB
数据手册

商品详情

  • Density
    1 MBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -55 °C to 125 °C
  • Operating Voltage
    2 V to 3.6 V
  • Lead Ball Finish
    Au
  • Interfaces
    Parallel
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Family
    F-RAM
  • Organization (X x Y)
    128K x 8
  • Qualification
    Military
  • Device weight
    1716.9 mg
受到推崇的
OPN
CYPT15B101N-GGMB
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 CG-FP-44
封装名 CERAMIC-TSOP-44 (002-33895)
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 CG-FP-44
封装名 CERAMIC-TSOP-44 (002-33895)
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
我们的抗辐射 F-RAM 是业界功耗最低的非易失性存储器解决方案之一，具有抗单粒子翻转 (SEU) 和几乎无限的耐用性。英飞凌的即时非易失性写入技术和超过 100 年的数据保留时间为空间应用提供了最高的可靠性。飞行设备，订购 DLAM QML-V 零件编号 5962R2321302VXC。

特性

  • 1 Mb 密度，(128K x 16)
  • 10 万亿次读/写循环
  • +85°C 下数据可保存 120 年
  • 低编程电压（2V）
  • 2.0V–3.6 V 工作范围
  • 低工作电流（最大 20 mA）
  • –55°C 至 +125°C 军用级
  • 44 引脚陶瓷 TSOP (CTSOP)
  • 飞行设备原型

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }