CYPT2643KV18-250GCMB

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ECC

N
实时时钟

N
密度

144 MBit
峰值回流温度

220 °C
工作温度

-55 °C to 125 °C
工作电压

1.7 V to 1.9 V
引线球表面

Sn/Pb
接口

Parallel
数据宽度

x 18
架构

QDR-II+, ODT
片上端接

Y
目前计划的可用性至少到

2033
看门狗

N
系列

QDR-II+, ODT
组织(X x Y)

8Mb x 18
脉冲长度 (Words)

4
认证标准

Military
设备重量

6152.8 mg
读取延迟(周期)

2
银行切换

N
频率

250 MHz

	推荐的
OPN	CYPT2643KV18-250GCMB
产品状态	active and preferred
英飞凌封装名称	C-CGA-165
封装名	CCGA-165 (001-58969)
包装尺寸	1
包装类型	TRAY
湿度	1
防潮包装	NON DRY
无铅	No
无卤素	No
符合RoHS标准	No
Infineon stock last updated:

产品状态	Active
英飞凌封装名称	C-CGA-165
封装名	CCGA-165 (001-58969)
包装尺寸	1
包装类型	TRAY
湿度	1
防潮包装	NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

英飞凌的 144Mb 四倍数据速率 (QDR^®)-II+、CYRS164x 和 CYRS264x 系列是采用英飞凌 RADSTOP ™技术设计的高性能同步流水线 SRAM。144Mb QDR^®-II+ 存储器提供 x18/x36 和双字/四字数据总线配置，以及可选的片上终端 (ODT)。我们的 QDR^®-II+ 提供低延迟和随机内存访问能力，非常适合高速缓存应用。英飞凌的抗辐射存储器经过 QML-V 认证，满足极端环境下的可靠性和生命周期要求。我们的太空内存解决方案增强了系统的整体计算极限，同时提供了尺寸、重量和功耗 (SWaP) 优势和设计灵活性。英飞凌最先进的 RADSTOP ™技术通过专有设计和工艺强化技术实现了抗辐射。

特性

144 Mb 密度，8M x 18，具有四字突发模式
最大频率 250MHz / 36 Gbps 吞吐量
两个独立的单向数据端口，用于并发读写事务
双倍数据速率 (DDR) 端口
输出阻抗匹配输入 (ZQ) 将设备输出与系统数据总线阻抗匹配
内存核心位交织，可消除多位错误
片上终端匹配 (ODT)
1.5 V 至 1.8 V HSTL I/O 信号标准
1.7 V 至 1.9 V 工作电压范围
–55°C 至 +125°C 军用温度等级
165 球陶瓷 CGA (CCGA)
原型
对于飞行设备，请订购 QML-V 部件号5962R1821402VXF
带有嵌入式 EDAC 的控制器 RTL IP 核可用于 Xilinx 和 Microchip FPGA

提供开发套件，了解更多信息：QDR ® -II+ 夹层板（P/N：CYDK-QDRII-NODT）

应用

设计资源

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CYPT2643KV18-250GCMB

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