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CYRS2643KV18-250GCMB

数据手册
封装

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CYRS2643KV18-250GCMB
CYRS2643KV18-250GCMB
数据手册

商品详情

  • ECC
    N
  • 密度
    144 MBit
  • 峰值回流温度
    220 °C
  • 工作温度
    -55 °C to 125 °C
  • 工作电压
    1.7 V to 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Pb
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 18
  • 架构
    QDR-II+, ODT
  • 片上端接
    Y
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    QDR-II+, ODT
  • 组织(X x Y)
    8Mb x 18
  • 脉冲长度 (Words)
    4
  • 认证标准
    Military
  • 设备重量
    6152.8 mg
  • 读取延迟(周期)
    2
  • 银行切换
    N
  • 频率
    250 MHz
推荐的
OPN
CYRS2643KV18-250GCMB
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CGA-165
封装名 CCGA-165 (001-58969)
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CGA-165
封装名 CCGA-165 (001-58969)
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 144Mb 四倍数据速率 (QDR ® )-II+、CYRS164x 和 CYRS264x 系列是采用英飞凌 RADSTOP ™技术设计的高性能同步流水线 SRAM。144Mb QDR ® -II+ 存储器提供 x18/x36 和双字/四字数据总线配置，以及可选的片上终端 (ODT)。我们的 QDR ® -II+ 提供低延迟和随机内存访问能力，非常适合高速缓存应用。 英飞凌的抗辐射存储器经过 QML-V 认证，满足极端环境下的可靠性和生命周期要求。我们的太空内存解决方案增强了系统的整体计算极限，同时提供了尺寸、重量和功耗 (SWaP) 优势和设计灵活性。英飞凌最先进的 RADSTOP ™技术通过专有设计和工艺强化技术实现了抗辐射。 注意：此部分已被 5962R1821402VXF 取代

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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