现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

D1381S45T

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D1381S45T
D1381S45T

商品详情

  • I(FSM) max
    28000 A
  • IFAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)
    1380/85
  • IFSM [A] (@10ms, Tvj max)
    28000
  • IRM [A] (@IF = IFAVM, di/dt = 50 A/µs) max
    700
  • rT [mΩ] (@Tvj max) max
    0.48
  • RthJC [K/kW] (@180° el sin) max
    12.5
  • Tvj [°C] max
    140
  • VF/IF [V/kA] (@Tvj max)
    2.6/2.5
  • VRRM [V]
    4500
  • VRRM max
    4500 V
  • VT0 [V] (@Tvj max) max
    1.4
  • ∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)
    5120
  • 夹紧力[kn]
    27 to 35
  • 封装
    Disc dia 100mm height 26mm / Ceramic
  • 配置
    GTO - Freewheeling Diodes
OPN
D1381S45TXPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 BG-D10026K-1
封装名 N/A
包装尺寸 2
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 BG-D10026K-1
封装名 -
包装尺寸 2
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
D1381S GTO - 续流二极管盘组装在高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳中,直径为 100 毫米,高度为 26 毫米。

特性

  • 高电流
  • 高阻断电压
  • 提供光触发类型
  • 最高坚固性
  • 最高可靠性
  • 高外壳非断裂电流容量。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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