现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

D931SH65T

数据手册

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D931SH65T
D931SH65T
数据手册

商品详情

  • I(FSM) max
    16000 A
  • IFAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)
    940/85
  • IFSM [A] (@10ms, Tvj max)
    16000
  • IRM [A] (@di/dt = 1000 A/µs, IFM = 2.5 kA, Tvj max) max
    1300
  • Qr [mAs] (@di/dt = 1000 A/µs, IFM = 2.5 kA, Tvj max) max
    3.5
  • rT [mΩ] (@Tvj max) max
    1.44
  • RthJC [K/kW] (@DC) max
    11.1
  • Tvj [°C] max
    140
  • VF/IF [V/kA] (@Tvj max)
    5.6/2.5
  • VR(D) [kV] (@TC = 25°)
    3.2
  • VRRM [V]
    6500
  • VRRM max
    6500 V
  • VT0 [V] (@Tvj max) max
    1.99
  • ∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)
    1280
  • 夹紧力[kn]
    27 to 45
  • 封装
    Disc dia 100mm height 26mm / Ceramic
  • 配置
    IGCT/IGBT - Freewheeling Diodes
推荐的
OPN
D931SH65TXPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 BG-D10026K-1
封装名 N/A
包装尺寸 2
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 BG-D10026K-1
封装名 -
包装尺寸 2
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
D931SH IGCT 二极管圆盘组装在高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳中，直径为 100 毫米，高度为 26 毫米。

特性

  • 完全阻断能力 50/60 Hz
  • 高直流阻断稳定性
  • 高浪涌电流能力
  • 高外壳不断裂电流
  • 软关断行为

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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