现货，推荐
符合RoHS标准

DF200R12W1H3_B27

1200 V、200 A升压IGBT模块
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

DF200R12W1H3_B27
DF200R12W1H3_B27
数据手册

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    200 A
  • IC max
    200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.3 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2 V
  • 封装
    EasyPACK™ 1B
  • 尺寸 (length)
    48 mm
  • 尺寸 (width)
    33.8 mm
  • 技术
    IGBT HighSpeed 3
  • 特性
    PressFIT
  • 电压等级 max
    1200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    Booster
推荐的
OPN
DF200R12W1H3B27BOMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-EASY1B
封装名 N/A
包装尺寸 24
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-EASY1B
封装名 -
包装尺寸 24
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EasyPACK ™ 1B 1200 V、200 A 升压 IGBT 模块采用成熟的 PressFIT 技术和高速 IGBT H3。

特性

  • 高速 IGBT H3
  • 低开关损耗
  • 快速硅二极管 1200V
  • Al2O3 基板
  • 集成 NTC 温度传感器
  • PressFIT 接触技术

应用

光伏

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }