DF200R12W1H3_B27
现货，推荐
符合RoHS标准

DF200R12W1H3_B27

1200 V、200 A升压IGBT模块

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DF200R12W1H3_B27
DF200R12W1H3_B27


商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    200 A
  • 最高 IC
    200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.3 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2 V
  • 封装
    EasyPACK™ 1B
  • 尺寸 (width)
    33.8 mm
  • 尺寸 (length)
    48 mm
  • 技术
    IGBT3 - H3
  • 拓扑结构
    Booster
  • 特性
    PressFIT
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
DF200R12W1H3B27BOMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-EASY1B
封装名 N/A
封装尺寸 24
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN,DE
晶圆产地
DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-EASY1B
封装名 -
封装尺寸 24
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN,DE
晶圆产地
DE
EasyPACK ™ 1B 1200 V、200 A 升压 IGBT 模块采用成熟的 PressFIT 技术和高速 IGBT H3。

特性

  • 高速 IGBT H3
  • 低开关损耗
  • 快速硅二极管 1200V
  • Al2O3 基板
  • 集成 NTC 温度传感器
  • PressFIT 接触技术

应用

光伏
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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