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FD800R17KE3_B2

1700 V、800 A斩波IGBT模块
数据手册

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FD800R17KE3_B2
FD800R17KE3_B2
数据手册

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    800 A
  • IC max
    800 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    2 V
  • VCES / VRRM
    1700 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.55 V
  • Housing
    IHM
  • Dimensions (length)
    130 mm
  • Dimensions (width)
    140 mm
  • Technology
    IGBT3 - E3
  • Features
    Enlarged Diode
  • Voltage Class max
    1700 V
  • Qualification
    Industrial, Traction
  • Configuration
    Chopper
OPN
FD800R17KE3B2NOSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 A-IHM130
封装名 N/A
包装尺寸 2
包装类型 TRAY
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 A-IHM130
封装名 -
包装尺寸 2
包装类型 TRAY
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
1700V IHM 130mm 斩波 IGBT 模块，配备 IGBT3、扩大二极管和 AlSiC 底板 - 牵引和工业应用的最佳解决方案

特性

  • 扩大再生二极管。操作
  • 高可靠性
  • 坚固的模块结构

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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