FF1000R12KE7I_S8
新品
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FF1000R12KE7I_S8

新品
1200 V, 1000 A half-bridge IGBT module
数据手册

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FF1000R12KE7I_S8
FF1000R12KE7I_S8
数据手册


商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    1000 A
  • 最高 IC
    1000 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.5 V
  • VCES / VRRM
    1200 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.8 V
  • 封装
    62 mm
  • 尺寸 (length)
    106.4 mm
  • 尺寸 (width)
    61.4 mm
  • 技术
    IGBT7 - E7
  • 拓扑结构
    half-bridge
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
FF1000R12KE7IS8HPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 N/A
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
HU
晶圆产地
DE,MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 -
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
HU
晶圆产地
DE,MY
62 mm 1200 V, 1000 A half-bridge low sat & fast trench IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7, 175°C continuous operation temperature and improved IGBT performance.

特性

  • Tvj op = 175°C continuous
  • Highest power density
  • Screw power terminals
  • Isolated baseplate
  • 20% improved diode performance

产品优势

  • higher inverter output current
  • less parallelization of the modules>
  • reduction of total system cost
  • reduced cooling efforts
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