FF2000R17T2P8Q
新品
现货，推荐
符合RoHS标准

FF2000R17T2P8Q

新品
1700 V, 2000 A half-bridge IGBT module, TIM 2.0

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FF2000R17T2P8Q
FF2000R17T2P8Q


商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    2000 A
  • 最高 IC
    2000 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • VCES / VRRM
    1700 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.95 V
  • 封装
    XHP™ 2
  • 尺寸 (length)
    140 mm
  • 尺寸 (width)
    99.8 mm
  • 技术
    IGBT8 - P8
  • 拓扑结构
    half-bridge
  • 特性
    TIM 2.0
  • 最高 电压等级
    1700 V
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
FF2000R17T2P8QBPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-XHP2K17
封装名 N/A
封装尺寸 4
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
DE
晶圆产地
DE,MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-XHP2K17
封装名 -
封装尺寸 4
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
DE
晶圆产地
DE,MY
XHP™ 2 1700 V, 2000 A half-bridge IGBT module with improved chipset, high power density and improved thermal management, and with pre-applied TIM2.0.

特性

  • symmetrical module design
  • low-inductive housing
  • low gate charge for improved paralleling
  • high performance ceramic
  • cont. operating temperature @Tvj=175°C
  • pre-applied TIM 2.0

产品优势

  • High power density
  • Improved thermal performance
  • Energy efficiency
  • Low switching and conduction losses
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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