FF800R12KE7_E
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

FF800R12KE7_E

1200 V、800 A 共发射极 IGBT 模块

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FF800R12KE7_E
FF800R12KE7_E

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    800 A
  • 最高 IC
    800 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.5 V
  • VCES / VRRM
    1200 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.8 V
  • 封装
    62 mm
  • 尺寸 (length)
    106.4 mm
  • 尺寸 (width)
    61.4 mm
  • 技术
    IGBT7 - E7
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    Common Emitter
OPN
FF800R12KE7EHPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 N/A
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 -
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
62 毫米 1200 V、800 A 共发射极低饱和度和快速沟槽 IGBT 模块,带有 TRENCHSTOP ™ IGBT7 和发射极控制二极管。

特性

  • 最高功率密度
  • 一流的 V CEsat
  • T vj op = 175°C 过载
  • 高爬电距离和电气间隙
  • 隔离基板 标准外壳
  • 符合 RoHS
  • 标准 4 kV AC 1
  • 分钟绝缘 包含 CTI 的套餐 > 400
  • UL/CSA 证书。符合 UL1557 E83336
文档

设计资源

开发者社区

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