现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM1808B-SG

数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FM1808B-SG
FM1808B-SG
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    Parallel FRAM
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    70 ns
推荐的
OPN
FM1808B-SG
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-28
封装名 SOIC-28 (51-85026)
包装尺寸 540
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-28
封装名 SOIC-28 (51-85026)
包装尺寸 540
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
FM1808B-SG是一款256 Kbit（32 K × 8）并行铁电RAM（F-RAM），采用28引脚SOIC封装，兼容SRAM和EEPROM。工作电压4.5 V至5.5 V，温度范围–40°C至+85°C，具备70 ns访问时间、100万亿次读写耐久性和65°C下151年数据保持。NoDelay写入、低功耗及高抗冲击振动能力，适用于工业控制、数据记录和计量等需频繁快速可靠非易失存储的场合。

特性

  • 256 Kbit F-RAM，32 K × 8结构
  • 10¹⁴次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，SRAM兼容时序
  • 70 ns访问，130 ns周期
  • 15 mA工作电流，50 μA待机
  • 4.5 V至5.5 V电源电压
  • –40°C至+85°C工业温度
  • SRAM/EEPROM兼容引脚
  • 最大8 pF输入/输出电容
  • 单片高可靠性，无需电池
  • 抗负电压下冲

产品优势

  • 支持频繁快速数据记录
  • 无需电池备份维护
  • 65°C下151年数据安全
  • 可直接替换SRAM/EEPROM
  • 快速写入降低系统延迟
  • 低功耗延长电池/系统寿命
  • 工业环境下高可靠性
  • 标准引脚便于集成
  • 抗冲击、振动、湿气
  • 断电不丢失数据
  • 写入无磨损忧虑
  • 电压波动下稳定运行

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }