FM1808B-SG
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM1808B-SG

数据手册
封装

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FM1808B-SG
FM1808B-SG
数据手册


商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    Parallel FRAM
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    70 ns

推荐的
OPN
FM1808B-SG
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-28
封装名 SOIC-28 (51-85026)
封装尺寸 540
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-28
封装名 SOIC-28 (51-85026)
封装尺寸 540
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
FM1808B-SG是一款256 Kbit（32 K × 8）并行铁电RAM（F-RAM），采用28引脚SOIC封装，兼容SRAM和EEPROM。工作电压4.5 V至5.5 V，温度范围–40°C至+85°C，具备70 ns访问时间、100万亿次读写耐久性和65°C下151年数据保持。NoDelay写入、低功耗及高抗冲击振动能力，适用于工业控制、数据记录和计量等需频繁快速可靠非易失存储的场合。

特性

  • 256 Kbit F-RAM，32 K × 8结构
  • 10¹⁴次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，SRAM兼容时序
  • 70 ns访问，130 ns周期
  • 15 mA工作电流，50 μA待机
  • 4.5 V至5.5 V电源电压
  • –40°C至+85°C工业温度
  • SRAM/EEPROM兼容引脚
  • 最大8 pF输入/输出电容
  • 单片高可靠性，无需电池
  • 抗负电压下冲

产品优势

  • 支持频繁快速数据记录
  • 无需电池备份维护
  • 65°C下151年数据安全
  • 可直接替换SRAM/EEPROM
  • 快速写入降低系统延迟
  • 低功耗延长电池/系统寿命
  • 工业环境下高可靠性
  • 标准引脚便于集成
  • 抗冲击、振动、湿气
  • 断电不丢失数据
  • 写入无磨损忧虑
  • 电压波动下稳定运行

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区