现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM18W08-SG

数据手册
封装

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FM18W08-SG
FM18W08-SG
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    Parallel FRAM
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    70 ns
推荐的
OPN
FM18W08-SG
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-28
封装名 SOIC-28 (51-85026)
包装尺寸 540
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-28
封装名 SOIC-28 (51-85026)
包装尺寸 540
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM18W08-SG是一款256 Kbit（32 K × 8）字节宽铁电随机存取存储器（F-RAM），具备非易失性存储、即时写入能力和高达100万亿次的耐久性。工作电压2.7 V至5.5 V，温度范围–40°C至+85°C，在65°C下数据保存可达151年。70 ns访问时间、28引脚SOIC封装和低功耗，适用于工业、仪器和数据记录等高频写入、高可靠性应用。

特性

  • 32 K × 8字节宽F-RAM存储器
  • 断电后数据不丢失
  • 100万亿次读写耐久性
  • +65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，SRAM速度
  • 行业标准并行接口
  • 70 ns存取时间，130 ns周期
  • 2.7 V至5.5 V宽电压
  • 最大12 mA工作电流，典型20 μA待机
  • 兼容SRAM和EEPROM引脚
  • 抗冲击、振动、湿气
  • 铁电工艺高可靠性

产品优势

  • 无需电池备份数据持久
  • 实现快速频繁数据记录
  • 可直接替换SRAM/EEPROM
  • 写入无延迟，数据即刻更新
  • 恶劣环境下可靠运行
  • 低功耗延长系统电池寿命
  • 简化设计，无需轮询
  • 超长寿命减少维护
  • 读写速度一致
  • 宽电压适配多平台
  • 高耐久适合高强度应用
  • 抗电压瞬变

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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