FM24C64B-G
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM24C64B-G

数据手册
封装

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FM24C64B-G
FM24C64B-G
数据手册


商品详情

  • Frequency
    1 MHz
  • 密度
    64 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    8Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
FM24C64B-G
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 1940
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 1940
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM24C64B-G是一款64 Kbit（8K × 8）串行F-RAM，采用I2C接口，具备1e14次读写循环和65°C下151年数据保持。工作电压4.5 V至5.5 V，支持最高1 MHz I2C，工作电流100 μA（100 kHz），待机电流4 μA（典型）。8引脚SOIC封装，可直接替换EEPROM，适用于工业、数据记录和控制等高可靠性应用，符合RoHS标准。

特性

  • 64 Kbit非易失性F-RAM，8K×8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™瞬时写入技术
  • I2C串行接口最高1 MHz
  • 支持100 kHz和400 kHz I2C时序
  • 100 kHz下工作电流100 μA
  • 典型待机电流4 μA
  • 宽电源电压4.5 V至5.5 V
  • 工业温度–40°C至+85°C
  • 施密特触发器输入抗噪声
  • 写保护引脚保障数据安全

产品优势

  • 实现数十年可靠数据存储
  • 支持频繁无限次写入
  • 消除写入延迟提升速度
  • 可直接替换I2C EEPROM
  • 降低工作与待机功耗
  • 适应恶劣工业环境
  • 保证噪声环境下数据完整性
  • 防止误写保护关键数据
  • 兼容传统与高速I2C系统
  • 标准I2C接口简化设计
  • 写入后无需数据轮询
  • 降低系统复杂度和负担
文档

设计资源

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