FM24CL04B-GTR
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM24CL04B-GTR

数据手册
封装

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FM24CL04B-GTR
FM24CL04B-GTR
数据手册


商品详情

  • Frequency
    1 MHz
  • 密度
    4 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
FM24CL04B-GTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH,TW
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH,TW
晶圆产地
US
FM24CL04B-GTR是一款4 Kbit（512×8）串行铁电随机存取存储器（F-RAM），采用I2C接口，适用于频繁数据记录和快速写入的高耐久非易失性存储。支持100万亿次读写、65°C下151年数据保存，工作电压2.7 V至3.65 V，温度范围–40°C至+85°C。具备NoDelay™写入、最高1 MHz速率、100 μA（100 kHz）低工作电流，并可直接替换串行EEPROM，适用于工业控制和数据采集系统。

特性

  • 4-Kbit非易失性F-RAM存储器
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™瞬时写入技术
  • I2C接口最高1 MHz
  • 低功耗：100 μA工作，3 μA待机
  • VDD工作电压：2.7 V至3.65 V
  • 工业温度：–40°C至+85°C
  • 输入/输出抗干扰（施密特触发）
  • 写保护引脚保障数据安全
  • 可直接替换I2C EEPROM
  • 支持100/400 kHz传统时序

产品优势

  • 断电后数据依然可靠
  • 支持频繁快速数据记录
  • 无写入延迟提升速度
  • 降低系统功耗
  • 简单替换I2C EEPROM设计
  • 长寿命适用于关键系统
  • 可在恶劣工业环境运行
  • 防止误写保护数据
  • 兼容新旧系统
  • 抗干扰提升信号可靠性
  • 写入后无需轮询
  • 降低系统可靠性风险
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区