FM24CL16B-GTR
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM24CL16B-GTR

符合工业标准且工作范围宽的高密度 16 kBit I²C F-RAM
数据手册
封装

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FM24CL16B-GTR
FM24CL16B-GTR
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    2Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    1 MHz
推荐的
OPN
FM24CL16B-GTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM24CL16B-GTR是一款16 Kbit（2K × 8）非易失性铁电RAM（F-RAM），采用I2C接口，支持100万亿次读写和151年数据保存。工作电压2.7 V至3.65 V，温度范围–40°C至+85°C，具备NoDelay™写入、最高1 MHz I2C速率和低功耗，工作电流100 μA，待机电流3 μA。可直接替换串行EEPROM，适用于数据记录和工业控制等频繁写入应用。

特性

  • 16 Kbit非易失性F-RAM存储器
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™瞬时写入
  • I2C接口最高1 MHz
  • 有源电流低至100 μA@100 kHz
  • 典型待机电流3 μA
  • VDD工作范围2.7 V至3.65 V
  • 工业温度–40°C至+85°C
  • 写保护引脚保障数据安全
  • 输入端施密特触发/抗干扰
  • 直接替换I2C EEPROM

产品优势

  • 实现频繁可靠数据记录
  • 消除写入延迟适合实时应用
  • 151年数据保存保障安全
  • 超高耐久减少更换频率
  • 低功耗延长电池/系统寿命
  • 宽电压适应多样设计
  • 可在恶劣工业环境运行
  • 写保护防止误操作
  • 抗干扰保障稳定运行
  • I2C EEPROM无缝升级
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