FM24V10-GTR
现货，推荐
符合RoHS标准

FM24V10-GTR

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FM24V10-GTR
FM24V10-GTR
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    3.4 MHz
推荐的
OPN
FM24V10-GTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM24V10-GTR是一款1-Mbit（128K × 8）串行铁电RAM（F-RAM），采用I2C接口，支持100万亿次读写耐久性和65°C下151年数据保存。工作电压2.0 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C，100 kHz时工作电流175 μA，典型休眠电流5 μA。NoDelay™总线速度写入消除写入延迟和轮询，适用于工业控制、数据记录和高可靠性频繁写入的非易失性存储。

特性

  • 1-Mbit (128K × 8) F-RAM存储器
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保存
  • NoDelay™瞬时写入技术
  • I2C接口最高3.4 MHz
  • 支持100kHz/400 kHz/1 MHz/3.4 MHz
  • 100 kHz下175μA工作电流
  • 5μA休眠电流
  • 2.0 V至3.6 V低电压工作
  • 工业级温度–40°C至+85°C
  • 设备ID和唯一序列号选项
  • 直接替换I2C EEPROM

产品优势

  • 支持频繁快速数据记录
  • 消除写入延迟提升效率
  • 数据可长期可靠保存
  • 降低运行功耗
  • 休眠省电延长电池寿命
  • 兼容多种I2C总线速率
  • 适应恶劣工业环境
  • 便捷升级I2C EEPROM
  • 系统识别与追踪更简单
  • 写入后无需轮询
  • 降低系统开销优于EEPROM
  • 适合高写入应用
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区