现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM25C160B-G

数据手册
封装
每件.
有存货

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FM25C160B-G
FM25C160B-G
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    2Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    20 MHz
推荐的
OPN
FM25C160B-G
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 1940
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 1940
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
FM25C160B-G是一款16 Kbit汽车级F-RAM，具备10万亿次读写耐久性和85°C下121年数据保持能力。工作电压为4.5 V至5.5 V，支持最高15 MHz SPI速率，实现NoDelay™总线速写。符合AEC-Q100 Grade 1和RoHS标准，具备硬件和软件写保护，1 MHz下工作电流300 μA，85°C待机电流10 μA。8引脚SOIC封装适用于高频快速写入的汽车和工业非易失性存储应用。

特性

  • 16 Kbit F-RAM，2 K × 8结构
  • 10万亿次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保持
  • NoDelay™实时写入
  • SPI接口最高15 MHz
  • 多重硬件/软件写保护
  • 1 MHz时300 μA工作电流
  • 85°C下10 μA待机电流
  • VDD范围4.5 V至5.5 V
  • 工作温度–40°C至+125°C
  • 1/4、1/2或全阵列块保护
  • 可直接替换串行闪存/EEPROM

产品优势

  • 超高耐久性适合频繁写入
  • 121年数据可靠保存
  • 即时写入无等待
  • 15 MHz SPI实现快速传输
  • 强大保护防止数据损坏
  • 低功耗节能
  • 宽电压简化设计
  • 适应恶劣温度环境
  • 灵活块保护提升安全
  • 直接替换减少设计修改

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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