现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM25CL64B-DG

数据手册
封装
每件.
有存货

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FM25CL64B-DG
FM25CL64B-DG
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    64 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    8Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    20 MHz
推荐的
OPN
FM25CL64B-DG
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (001-85260)
包装尺寸 1620
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (001-85260)
包装尺寸 1620
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
FM25CL64B-DG是一款64 Kbit（8K × 8）串行F-RAM，采用SPI接口，适用于高耐久非易失性存储。工作电压2.7 V至3.65 V，SPI时钟最高20 MHz，保证1014次读写循环和65°C下151年数据保持。低功耗（1 MHz时200 μA，待机3 μA）、写保护、工业级温度范围（–40°C至+85°C），适合工业控制、数据记录及快速可靠存储。8引脚DFN封装，符合RoHS标准。

特性

  • 64 Kbit (8K × 8) F-RAM存储器
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™总线速度写入
  • SPI接口最高20 MHz
  • 硬件/软件写保护
  • 1 MHz时200 μA工作电流
  • 典型待机电流3 μA
  • VDD工作范围2.7 V至3.65 V
  • 工业温度–40°C至+85°C
  • 兼容串行闪存/EEPROM
  • 支持SPI模式0和3

产品优势

  • 可靠应对频繁快速写入
  • 消除写入延迟提升速度
  • 断电数据不丢失
  • 低功耗延长电池寿命
  • 易于集成现有设计
  • 多重保护确保数据安全
  • 适应恶劣工业环境
  • 写入后无需轮询
  • 轻松升级旧系统
  • 高耐久性降低维护
  • 宽电压适用灵活
  • 高速SPI提升数据传输

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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